Publications

• Autre publication scientifique

Etude d'un système de localisation 3-D haute précision basé sur les techniques de transmission ULB à basse consommation d'énergie pour les objets mobiles communicants

Kobenan Ignace Kossonou

2014. ⟨hal-00994836⟩

• Communication dans un congrès

Structure de bande de chaînes atomiques harmoniques et anharmoniques couplées

Bertrand Dubus, Jerome O. Vasseur, N. Swinteck, K. Muralidharan, P. Deymier

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. Session APUS1 : Acoustique Ultrasonore, papier CFA2014/95, 1240-1245. ⟨hal-00978392⟩

• Communication dans un congrès

Scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of graphene on SiC (C-face) substrate grown by Si flux-assisted molecular beam epitaxy

I. Razado-Colambo, J.P. Nys, X. Wallart, S. Godey, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud

4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. 2 p. ⟨hal-00962361⟩

• Article dans une revue

GaN high electron mobility transistors on silicon substrates with MBE/PVD AlN seed layers

Yvon Cordier, Éric Frayssinet, Magdalena Chmielowska, Maud Nemoz, Aimeric Courville, Philippe Vennéguès, P. de Mierry, Sebastien Chenot, Julien Camus, Keltouma Aït Aïssa, Quentin Simon, Laurent Le Brizoual, Mohamed Abdou Djouadi, N. Defrance, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Adrien Cutivet, Alain Agboton, Jean-Claude de Jaeger

In the present paper, we describe the development of new AlN seed layers obtained by combining molecular beam epitaxy and low temperature physical vapour deposition (magnetron sputtering). It is shown that it is possible to grow thick AlN seed layers with a good in-plane crystal ordering. GaN based…

Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, 2014, 11 (3-4), pp.498-501. ⟨10.1002/pssc.201300453⟩. ⟨hal-00966112⟩

• Article dans une revue

Interferometric technique for scanning near-field microwave microscopy applications

Hind Bakli, Kamel Haddadi, Tuami Lasri

An interferometric technique for scanning near-field microscopy applications is proposed. The method is based on the association of a vector network analyzer, an evanescent microwave coaxial probe and a precise interferometer built up with a power divider, a phase-shifter, and an attenuator.…

IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, 2014, 63, pp.1281-1286. ⟨10.1109/TIM.2013.2296416⟩. ⟨hal-00980043⟩

• Communication dans un congrès

Phononic crystals patterning by e-beam lithography "dots on the fly" methodology for integration into thermoelectric energy converters

Valeria Lacatena, Maciej Haras, J.F. Robillard, Stéphane Monfray, Thomas Skotnicki, Emmanuel Dubois

A phononic engineered pattern is conceptualized and realized to hinder the phonons propagation and reduce the lattice thermal conductivity. The pattern fabrication methodology is shown and the procedure of integration on suspended membrane for thermal conductivity characterization is depicted. The…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01020281⟩

• Communication dans un congrès

Microscopie champ proche micro-ondes pour la caractérisation de liquides

Sijia Gu, Kamel Haddadi, Tuami Lasri

Une plate-forme de microscopie champ proche micro-ondes pour la caractérisation de liquides est proposée. La technique est basée sur l'association d'un analyseur de réseau micro-ondes et d'une sonde coaxiale évanescente. Le principe du système proposé est basé sur le développement d…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020399⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation non linéaire de films minces de (Pb,Sr)TiO3

Freddy Ponchel, Ludovic Burgnies, Damien Ducatteau, Eric Lheurette, Denis Remiens, Didier Lippens

Ce travail traite de la caractérisation diélectrique haute fréquence, en petit et en grand signal, de films minces ferroélectriques déposées sur silicium haute résistivité. Quel que soit le régime de fonctionnement la structure utilisée est un guide d'onde coplanaire sans discontinuité avec…

13èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM2014, 2014, Nantes, France. article 14, 4 p. ⟨hal-01006425⟩

• Article dans une revue

Optical properties of gallium nitride heterostructures grown on silicon for waveguiding application

Irma Saraswati, Arnaud Stolz, S. Ko, El Hadj Dogheche, Nji Raden Poespawati, Retno Wigajatri, Didier Decoster

Gallium nitride (GaN) on silicon (Si) is governed by the possibility to use this family of semiconductor for novel optoelectronic devices. GaN layers are deposited by MOCVD on silicon Si (111) using AlGaN buffer layer. We have studied the microstructure quality of the films. From SEM, TEM and AFM…

Advanced Materials Research, 2014, 980, pp.41-45. ⟨10.4028/www.scientific.net/AMR.980.41⟩. ⟨hal-01020484⟩

• Communication dans un congrès

3D micro-supercapacitor based on MnO2 electrodes on silicon substrate

Etienne Eustache, Camille Douard, Pascal Tilmant, Dmitri Yarekha, Laurence Morgenroth, Christophe Lethien, Thierry Brousse

226th Meeting of the Electrochemical Society and XXIX Congreso de la Sociedad Mexicana de Electroquímica, 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting, 2014, Cancun, Mexico. ⟨hal-01015285⟩