Publications

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  • Communication dans un congrès

[Invited] MEMS research, applications and results

S. Arscott

Workshop on Nanoscale Processing for MEMS and NEMS, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00976620⟩

  • Communication dans un congrès

Pushing the limits of GaN-on-silicon device breakdown voltage for high power applications

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

CMOS Emerging Technologies Research Symposium, 2014, Grenoble, France. ⟨hal-00976633⟩

  • Communication dans un congrès

Acousto-optic couplings in two-dimensional lithium niobate phoxonic crystal

Quentin Rolland, Samuel Dupont, Joseph Gazalet, Jean-Claude Kastelik

We investigate the acousto-optic couplings in two-dimensional infinite piezoelectric phoXonic crystal cavities. The periodic structure considered consists in a square array of air inclusions drilled in Lithium Niobate matrix. This structure allows the simultaneous confinement of acoustic and optic…

European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium D - Phonons and fluctuations in low dimensional structures, 2014, Lille, France. ⟨hal-00976642⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation des propriétés élastiques du PZT déposé en couches minces par acoustique picoseconde

F. Casset, Arnaud Devos, A. Le Louarn, P. Emery, G. Le Rhun, S. Fanget, E. Defay

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. Session APUS2-2 : Contrôles et essais non-destructifs II, papier CFA2014/208, 530-534. ⟨hal-00978406⟩

  • Article dans une revue

Electrical properties of lead-free KNN films on SRO/STO by RF magnetron sputtering

T. Li, G.S. Wang, K. Li, G. Du, Y. Chen, Z.Y. Zhou, Denis Remiens, X.L. Dong

Ceramics International, 2014, 40, pp.1195-1198. ⟨10.1016/j.ceramint.2013.07.005⟩. ⟨hal-00903762⟩

  • Communication dans un congrès

Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances

Mohamed Salah Khenissa, D. Mele, Mohamed Moez Belhaj, Ivy Colambo, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy

Dans ce papier, nous vous présentons notre travail sur les transistors à effet de champ à base de graphène GFET à grille isolée. Les transistors ont été réalisés sur le graphène épitaxié dont la synthétisation a été faite sur la face Si d'un substrat SiC, en utilisant l'Al203 comme un…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018370⟩