Publications

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  • Communication dans un congrès

Strain relaxation and thermal effects on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMT

A. Telia, A. Bellakhdar, L. Semra, A. Soltani

In this work the effects of technological and electrical parameters of Al m Ga 1-m N/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMT) on the output conductance "gd" was studied in the first part. In the second part, the effect on gd of thermal and self heating in the device was analyzed.…

2nd Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference, SIECPC 2013, 2013, Riyadh, Saudi Arabia. 6 p., ⟨10.1109/SIECPC.2013.6550780⟩. ⟨hal-00877787⟩

  • Communication dans un congrès

THz wireless communications at high data rate using plasma-wave field-effect transistors for detection: State of the art and perspectives

S. Blin, L. Tohme, P. Nouvel, A. Pénarier, D. Coquillat, W. Knap, Guillaume Ducournau, Jean-Francois Lampin, S. Bollaert, S. Hisatake, T. Nagatsuma

GDRI – THz, 2013, Montpellier, France. ⟨hal-01929183⟩

  • Communication dans un congrès

Barrières tunnel épitaxiées sur graphène

F. Godel, E. Pichonat, D. Vignaud, B. Doudin, J.F. Dayen, D. Halley

XVe Colloque Louis Néel, Couches Minces et Nanostructures Magnétiques, 2013, Tours, France. papier MMCS-13, 233-234. ⟨hal-00878371⟩

  • Communication dans un congrès

[Invité] Multi-excitons dans les nanostructures de semiconducteurs

Christophe Delerue, Guy Allan

Deuxième édition des Journées Nationales du Photovoltaïque, JNPV 2012, Dec 2012, Chantilly, France. ⟨hal-00797752⟩

  • Article dans une revue

An accurate determination of the surface energy of solid selenium

G. Guisbiers, S. Arscott, R. Snyders

Applied Physics Letters, 2012, 101 (23), pp.231606. ⟨10.1063/1.4769358⟩. ⟨hal-02345720⟩