Publications

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  • Article dans une revue

The effect of deposition power on the micro-structure and dielectric response of Pb0.4Sr0.6TiO3 thin films

K. Li, Denis Remiens, G. Du, T. Li, X.L. Dong, G.S. Wang

Ceramics International, 2014, 40, pp.149-153. ⟨10.1016/j.ceramint.2013.05.115⟩. ⟨hal-00903763⟩

  • Communication dans un congrès

Matériaux lithiés obtenus par dépôt physique et chimique en phase vapeur pour microbatterie Li-ion

Manon Letiche, Etienne Eustache, Pascal Roussel, Christophe Lethien

Journées Nord-Ouest Européennes des Jeunes Chercheurs, JNOEJC 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-01009970⟩

  • Article dans une revue

Temperature dependence of the conduction mechanisms through a Pb(Zr,Ti)O3 thin film

C. Jegou, L. Michalas, T. Maroutian, G. Agnus, M. Koutsoureli, G. Papaioannou, L. Largeau, David Troadec, A. Leuliet, P. Aubert, P. Lecoeur

The conduction mechanisms through a lead zirconate titanate (PZT) thin film grown by pulsed laser deposition with a La0.67Sr0.33MnO3 (LSMO) buffer layer on epitaxial Pt (111) were assessed in the 230-330 K temperature range. X-Ray diffraction and transmission electron microscopy evidenced a…

Thin Solid Films, 2014, 563, pp.32-35. ⟨10.1016/j.tsf.2013.12.043⟩. ⟨hal-01009981⟩

  • Communication dans un congrès

Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications

Wei Wei, Geetanjali Deokar, Mohamed Moez Belhaj, D. Mele, Emiliano Pallecchi, Emmanuelle Pichonat, Dominique Vignaud, Henri Happy

To synthesize monolayer graphene and realize defect free transfer for electronic devices application are still challenges. In this letter, we present the fabrication and characterization of graphene field effect transistor (GFET), with respect to key parameters of graphene growth on Cu by chemical…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, May 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018384⟩

  • Communication dans un congrès

Caractérisation quantitative des capacités sous échelle de 10 nm avec un interférométrique scanning-microwave-microscopy

Fei Wang, Nicolas Clément, Damien Ducatteau, David Troadec, Bernard Legrand, Gilles Dambrine, Didier Theron

Nous présentons une façon de caractériser quantitativement des capacités sous échelle de 10 nm à l'aide d'un scanning-microwave-microscope modifié avec un interféromètre (iSMM). Des milliers de capacités à l'échelle nanométrique (nanoplots) et un kit de capacités de calibrages sont…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018379⟩