Publicaciones

• Communication dans un congrès

Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures

B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman

13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France. ⟨hal-01654259⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation d'objets enfouis - Estimation du coefficient de réflexion

Latifa Achrait-Furlan, T. Lasri, Ahmed Mamouni

Actes de TELECOM 03 et 3èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2003, 2003, Marrakech, Maroc. pp.1D-20. ⟨hal-00146066⟩

• Autre publication scientifique

Spectroscopie de résonance ultrasonore des ondes de surface. Application au contrôle non destructif de billes en céramique

S. Petit

2003. ⟨hal-00147094⟩

• Article dans une revue

Influence of residual air gaps on the characteristics of circular polarization aperture-coupled millimeter wave microstrip antennas

Ronan Sauleau, Philippe Coquet

Electronics Letters, 2003, 39 (12), pp.889-891. ⟨hal-00549359⟩

• Article dans une revue

Radiation characteristics and performances of millimeter wave horn-fed gaussian beam antennas

Ronan Sauleau, Philippe Coquet, Daniel Thouroude, J.P. Daniel, T. Matsui

IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 2003, 51 (3), pp.378-387. ⟨hal-00549357⟩

• Article dans une revue

Beam focusing using 60-GHz Fabry-Perot resonators with uniform and non-uniform metal grids

Ronan Sauleau, Philippe Coquet, Daniel Thouroude, J.P. Daniel

Electronics Letters, 2003, 39 (4), pp.341-342. ⟨hal-00549353⟩

• Communication dans un congrès

Transmission electron microscopy analysis of silicides used in ALSB-SOI MOSFET structures

J. Katcki, J. Ratajczak, A. Laszcz, F. Phillipp, Emmanuel Dubois, Guilhem Larrieu, Julien Penaud, Xavier Baie

In Accumulated Low Schottky Barrier metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFET) on SOl structures, very thin silicide layers are used for ohmic contacts. Silicide contacts form due to metallurgical reaction of metal with semiconductor. In order to get a broad vision of the most...

Conference on Microscopy of Semiconducting Materials, Mar 2003, Cambridge, United Kingdom. pp.479-482, ⟨10.1201/9781351074636-110⟩. ⟨hal-00250182⟩

• Communication dans un congrès

Nonlinear acoustics of phase conjugate waves in heterogeneous media (NGA approach)

Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

2003, pp.875-878. ⟨hal-00146134⟩

• Communication dans un congrès

Visualization of phase conjugate ultrasound waves passed through inhomogeneous layer

K. Yamamoto, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky

Ultrasonics International, 2003, Granada, Spain. ⟨hal-00146159⟩

• Autre publication scientifique

Eléments actifs pour microsystèmes à base de nanostructures magnétostrictives au voisinage de la transition de réorientation de spin

S. Masson

2003. ⟨hal-00146118⟩