Publications
Affichage de 9791 à 9800 sur 16231
A magnetically actuated, high momentum rate MEMS pulsed micro jet for active flow control
R. Viard, Abdelkrim Talbi, L. Gimeno, O. Ducloux, A. Merlen, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky
ASME 2010 3rd Joint US-European Fluids Engineering Summer Meeting and 8th International Conference on Nanochannels, Microchannels, and Minichannels FEDSM2010-ICNMM2010, 2010, Montreal, Canada. ⟨hal-00808177⟩
Sub-ppm nerve agent detection with chemically functionalized silicon nanoribbon field-effect transistors
S. Clavaguera, A. Carella, C. Celle, J.P. Simonato, S. Lenfant, D. Vuillaume
5th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'10, 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00574104⟩
Pénétration des ondes électromagnétiques haute fréquence dans des systèmes : analyse et évaluation par l'approche power balance
Isabelle Junqua
2010. ⟨hal-00572713⟩
Conjugaison de phase ultrasonore pour la vélocimétrie des écoulements gazeux. Investigation des potentialités en microfluidique
Pavel Shirkovskiy
2010. ⟨hal-00572694⟩
Report de couches actives de transistors bipolaires à hétérojonctions InP/GaAsSb/InP en vue de la dissipation thermique
N.A. Thiam
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 1. ⟨hal-00572215⟩
Metamaterials and plasmonics at THz frequencies : design and applications
Tahsin Akalin, Wenchen Chen, Willie J. Padilla
SPIE Photonics Europe, Metamaterials V, 2010, Brussels, Belgium. ⟨hal-00573570⟩
Direct integration of gold-free GaAs/GaAsSb nanowires on Si by MBE
S.R. Plissard, K.A. Dick, X. Wallart, P. Caroff
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany. ⟨hal-00573577⟩
Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4. ⟨hal-00573207⟩
Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M. Charfeddine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12, pp.2190-2193. ⟨hal-00573158⟩