Publications

• Thèse

Van der Waals epitaxy of TaSe2 and HfSe2-based heterostructures on semiconducting substrates, Épitaxie de van der Waals d’hétérostructures à base de TaSe2 et HfSe2 sur substrats semiconducteurs

Corentin Sthioul

Layered transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted a significant attention in the last two decades owing to the large variety of properties they offer together with the unique ability of two-dimensional (2D) materials to be isolated in atomically thin layers or integrated in complex…, Les dichalcogénures de métaux de transition (TMDC) ont suscité un intérêt considérable au cours des deux dernières décennies en raison de la grande variété de propriétés qu’ils offrent, ainsi que de la capacité unique des matériaux bidimensionnels (2D) à pouvoir être isolés en couches atomiquement…

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05543607⟩

• Chapitre d'ouvrage

Rapport de conjoncture 2024 Section 08 Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Marie-Cécile Pera, Sébastien Cueff, Corinne Alonso, Jean-François Bryche, Jérôme Castellon, Benoit Charlot, Stéphane Collin, Nathalie Destouches, Sukdheep Dhillon, Yannick Dusch, Katia Grenier, Claire Guéné, Virginie Hoel, Évelyne Martin, Jean-Luc Moncel, Denys Nikolayev, Sylvie Renaud, Guillaume Saint-Girons, Patrice Salzenstein, Frédéric Sarry, Frédéric van Dau

La Section 08 du CNRS rassemble 368 chercheurs, soit la 5e section la plus nombreuse. Ses thématiques couvrent l’ingénierie dans des domaines à fort impact sociétal comme l’énergie électrique, les communications et la santé. La période récente a été marquée par une plus forte prise en compte des…

CNRS. Rapport de conjoncture, CNRS, pp.125-162, 2025. ⟨hal-05493567⟩

• Thèse

Linearity and reliability study of GaN HEMT for millimeter-wave applications, Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques

Lyes Ben-Hammou

GaN HEMTs have already demonstrated outstanding RF performance at millimeter-wave frequencies, establishing them as the leading technology for high-power and high-efficiency applications such as radar, space systems, and 5G/6G communications. With these capabilities now largely validated, research…, Les transistors HEMT à base de nitrure de gallium (GaN) ont déjà démontré d’excellentes performances RF aux ondes millimétriques, s’imposant comme une technologie clé pour les applications à forte puissance et à haut rendement telles que le radar et les systèmes spatiaux, et constituant un candidat…

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400916⟩

• Thèse

Etude de la diode Schottky GaN à base de métaux réfractaires pour les applications spatiales à haute température et haute fréquence, Study of GaN Schottky diodes based on refractory metals for high-temperature, high-frequency space applications

Amir Al Abdallah

Les exigences croissantes en électronique haute température, motivées par des applications telles que le forage profond, l’aéronautique hypersonique ou encore l’exploration spatiale, imposent le développement de dispositifs capables de fonctionner au-delà des limites thermiques des technologies…, The growing demand for high-temperature electronics, driven by applications such as deep-well drilling, hypersonic aerospace systems, and space exploration, requires the development of devices capable of operating beyond the thermal limits of traditional silicon-based technologies. In the context…

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400902⟩

• Pré-publication, Document de travail

Influence of electric properties on thermal boundary conductance at metal/semiconductor interface

Quentin Pompidou, Juan Carlos Acosta Abanto, Mélanie Brouillard, Nicolas Bercu, Louis Giraudet, Raza Sheikh, Christophe Adessi, Samy Merabia, Séverine Gomés, Pierre-Olivier Chapuis, Jean-François Robillard, Mihai Chirtoc, Nicolas Horny

2025. ⟨hal-05407095⟩

• Thèse

Optimisation de procédés de fabrication pour le développement de transistors de puissance en technologie GaN, Optimisation of manufacturing processes for the development of power transistors using GaN technology

Adrien Bidaud

Cette thèse porte sur la conception et l’optimisation de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN), en se concentrant sur les transistors à haute mobilité électronique latéraux (HEMTs) et les transistors MOSFETs verticaux à tranchée (V-T-MOSFETs). L’objectif est d’assurer un…, This thesis investigates the design and optimization of gallium nitride (GaN) power transistors, focusing on lateral high-electron-mobility transistors (HEMTs) and vertical trench MOSFETs (V-T-MOSFETs). The objective is to achieve robust and reliable operation in the 600–1200 V class while…

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400874⟩

• Article dans une revue

Thermal conductivity of suspended MBE-grown PtSe 2

Juliette Jolivet, Arkadiusz Gertych, Eva Desgué, Dominique Carisetti, Justin Rouxel, Julie Cholet, Pierre Legagneux, Mariusz Zdrojek, Henri Happy, David Brunel

Layered platinum diselenide (PtSe₂) grown by molecular beam epitaxy provides a reliable and reproducible alternative to mechanical exfoliation, making it suitable for scalable device integration. In this work, we thoroughly investigate the in-plane thermal conductivity of multilayer suspended PtSe…

2D Materials, 2025, 13 (1), pp.015015. ⟨10.1088/2053-1583/ae203a⟩. ⟨hal-05508805⟩

• Article dans une revue

Tuning the optoelectronic properties and nanostructure of silicon photoelectrodes for enhancing solar fuel production

Simon Joyson Galbao, Dhruv Aggarwal, Bruno Grandidier, Dharmapura H K Murthy

Due to its broadband optical absorption and advancement in wafer-based processing technology, silicon is extensively employed in photovoltaic devices. However, the application of silicon for photoelectrochemical reactions in its wafer/bulk form is limited and has consistently demonstrated…

Communications Materials, 2025, 7, ⟨10.1038/s43246-025-01023-7⟩. ⟨hal-05474526⟩

• Thèse

Bioinspired ultra-low power architectures for sound source localization and recognition, Architectures bioinspirées ultra-faible consommation pour la localisation et la reconnaissance de sources sonores

Eugénie Dalmas

Biomimetism is an increasingly widespread approach in various scientific fields. It regularly gives rise to new paradigms and, in recent years, has driven neuromorphic computing and technologies which promise significant advances in the field of information theory and unprecedented energy…, Le biomimétisme est une approche de plus en plus répandue dans les différents domaines scientifiques. Il est régulièrement la source de nouveaux paradigmes et, depuis quelques années, a impulsé le traitement et les technologies neuromorphiques qui portent la promesse d’avancées significatives dans…

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05382138⟩

• Article dans une revue

Structural, morphological and optical properties of ZnO thin films grown by time-dependent chemical bath deposition

Alphonse Déssoudji Gboglo, Mazabalo Baneto, Ognanmi Ako, Komlan Segbéya Gadedjisso-Tossou, Bruno Grandidier, Muthiah Haris, Muthuswamy Senthilkumar, Kekeli N’konou

This study investigates the effect of deposition time on the structural, morphological, and optical properties of ZnO thin films synthesized by single-step chemical bath deposition (CBD) without the use of a seed layer. The films were systematically characterized using X-ray diffraction (XRD),…

International Journal of Renewable Energy Development, 2025, 15, pp.66 - 75. ⟨10.61435/ijred.2026.61665⟩. ⟨hal-05480418⟩