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Thèse

Design, fabrication and simulation of next generation robust GaN HEMTs for millimeter wave applications, Conception, fabrication et simulation de HEMTs GaN robustes de prochaine génération pour les applications millimétriques

François Grandpierron

In recent years, significant progress has been achieved with GaN high electron mobility transistors (HEMTs) in advancing the next generation of 5G networks, radar systems, and satellite communications. However, to further enhance power amplification and high-frequency operation (>30 GHz),…, Ces dernières années, des avancées significatives ont été réalisées avec les transistors à haute mobilité électronique en GaN (HEMTs) contribuant à l'évolution de la prochaine génération de réseaux 5G, de systèmes radar et de communications par satellite. Cependant, pour améliorer davantage l…

Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2024. English. ⟨NNT : 2024ULILN045⟩. ⟨tel-05234737⟩

Article dans une revue

In-situ chemical grafting of aminophenyl and RGD peptide on an equimolar high-entropy HfNbTaTiZr alloy: electrochemical behavior and surface characterization

Farzin Arjmand, Alima Chali, Youssef Snoussi, David Troadec, Gilles Patriarche, Loic Perriere, Jean-Philippe Couzinié, Elisa Peroni, Olivier Monasson, Michel Boissière, Mohamed Mehdi Chehimi, Souad Ammar-Merah, Guy Dirras

The in-situ chemical grafting conditions of aminophenyl on an equimolar high-entropy HfNbTaTiZr alloy were optimized using an experimental design strategy. A fluorescent ArgGlyAsp peptide molecule was also synthesized and mounted on the grafted aryl group layer as a preliminary investigation toward…

Emergent Materials, 2024, ⟨10.1007/s42247-024-00963-z⟩. ⟨hal-04854358⟩

Thèse

Développement de la technologie RFSOI au moyen de nouvelles méthodologies de substrat pour les applications 5G, RFSOI Technology Development by means of new substrate methodologies for 5G Applications

Thomas Bordignon

RF CMOS technology, initially used for Bluetooth and GPS in the 1990s, is now crucial for cellular networking in smartphones, PCs, and WiFi modems. The transition from 4G to 5G has driven the need for continuous improvements of the transistors employed in the RF Front End Modules, and now 6G…, La technologie RF CMOS, initialement utilisée pour le Bluetooth et le GPS dans les années 1990, est désormais cruciale pour les réseaux cellulaires dans les smartphones, les PC et les modems WiFi. La transition du 4G au 5G a entraîné la nécessité d'améliorations continues des transistors…

Physics [physics]. Université de Lille, 2024. English. ⟨NNT : 2024ULILN041⟩. ⟨tel-04826387⟩

Pré-publication, Document de travail

On the importance of Ni-Au-Ga interdiffusion in the formation of a Ni-Au / p-GaN ohmic contact

Jules Duraz, Hassen Souissi, Maksym Gromovyi, David Troadec, Teo Baptiste, Nathaniel Findling, Phuong Vuong, Rajat Gujrati, Thi May Tran, Jean-Paul Salvestrini, Maria Tchernycheva, Suresh Sundaram, Abdallah Ougazzaden, Gilles Patriarche, Sophie Bouchoule

The Ni-Au-Ga interdiffusion mechanisms taking place during rapid thermal annealing (RTA) under oxygen atmosphere of a Ni-Au/p-GaN contact are investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) coupled to energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). It is shown that oxygen-…

2025. ⟨hal-04850843⟩